Nyhetsflöde

Logga in till din gruppwebb

Du är inte inloggad på KTH så innehållet är inte anpassat efter dina val.

Du är inte inloggad. för att delta i diskussionen.

Nedan är de senaste inläggen, kommentarerna, redigeringarna osv. De med senaste aktivitet kommer först.

December 2015
under Allmänt

Administratör Ilja Sytjugov skapade sidan 8 november 2012

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 11 december 2015

Kan därmed läsas av alla och ändras av administratörer.
Ilja Sytjugov redigerade 11 december 2015

First part of the course:

Name

Problem Number

Anne-Lise

 3.4, 4.1, 5.5

Bejan

 3.3, 5.3, 6.1

Cristine

 2.3, 3.2, 5.1

Tomas

 *, 2.5, 5.2

Toon

15.2 (a, b, c, d)

 

Second part of the course

Name

Problem Number

Anne-Lise

 ***, 11.1, 12.5

Bejan

 ¶ ¶ 9.3, 10.1, 13.1

Cristine

 **, 12.3, 14.4

Tomas

9.2, 11.4, 12.2

Toon

 9.5, 10.5, 11.3

* Considering that ionization energy of donors and acceptors in Si is about 50 meV, estimate the fraction of ionized impurities at room temperature.

** Gain in direct bandgap excitonic system is shown to be impossible. What makes Er+3 ion gain possible where the discrete level structure of inner levels resemble exciton levels?

*** What is the difference between amplified spontaneous emission and stimulated emission? How can these two be distinguished in an experiment?

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 28 september 2017

Kan därmed läsas av alla inloggade användare och ändras av administratörer.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 21 augusti 2023

Kan därmed läsas av alla och ändras av administratörer.
 
Oktober 2012
under Allmänt

Administratör Ilja Sytjugov skapade sidan 2 oktober 2012

Ilja Sytjugov redigerade 22 oktober 2012

                                                        Topic # Date Speaker Basic terms.

Equipment and techniques for time-integrated luminescence measurements.

 1

  22.10     Ilya Time-resolved luminescence: equipment and kinetic description of processes. Phonons.

 2

  v.44  Fatemeh Mahtab Radiative and non-radiative recombination. Free excitons.

 3

  v.45    Zahra Bound excitons. Electron-hole liquid and plasma.

 4

  v.46     Ilya Disordered semiconductors. Stimulated emission.

 5

  v.47  Reyhaneh Electroluminescence. Low-dimensional structures I: quantum wells.

 6

  v.49     Niels Low-dimensional structures II: quantum wires, dots.

Electron-hole plasma and lasing in low dimensional structures.

 7

  v.50 Wondwosen Silicon nanophotonics and photonic structures. Single-dot spectroscopy. 8   v.51      Jan

Ilja Sytjugov redigerade 22 oktober 2012

                                                        Topic # Date Speaker Basic terms.

Equipment and techniques for time-integrated luminescence measurements.

 1

  22.10     Ilya Time-resolved luminescence: equipment and kinetic description of processes. Phonons.

 2

  v.4429.10   Mahtab Radiative and non-radiative recombination. Free excitons.

 3

  v.4505.11    Zahra Bound excitons. Electron-hole liquid and plasma.

 4

  v.4612.11     Ilya Disordered semiconductors. Stimulated emission.

 5

  v.4719.11  Reyhaneh Electroluminescence. Low-dimensional structures I: quantum wells.

 6

  v.4903.12     Niels Low-dimensional structures II: quantum wires, dots.

Electron-hole plasma and lasing in low dimensional structures.

 7

  v.5010.12 Wondwosen Silicon nanophotonics and photonic structures. Single-dot spectroscopy. 8   v.5117.12      Jan

Ilja Sytjugov redigerade 22 oktober 2012

                                                        Topic # Date Speaker Basic terms.

Equipment and techniques for time-integrated luminescence measurements.

 1

  22.10     Ilya Time-resolved luminescence: equipment and kinetic description of processes. Phonons.

 2

  29.10   Mahtab Radiative and non-radiative recombination. Free excitons.

 3

  05.11    Zahra Bound excitons. Electron-hole liquid and plasma.

 4

  12.11     Ilya Disordered semiconductors. Stimulated emission.

 5

  19.11  Reyhaneh Electroluminescence. Low-dimensional structures I: quantum wells.

 6

  034.12     Niels Low-dimensional structures II: quantum wires, dots.

Electron-hole plasma and lasing in low dimensional structures.

 7

  10.12 Wondwosen Silicon nanophotonics and photonic structures. Single-dot spectroscopy. 8   17.12      Jan

Ilja Sytjugov redigerade 22 oktober 2012

                                                        Topic # Date Speaker Basic terms.

Equipment and techniques for time-integrated luminescence measurements.

 1

  22.10     Ilya Time-resolved luminescence: equipment and kinetic description of processes. Phonons.

 2

  29.10

  9.30¶

  Mahtab Radiative and non-radiative recombination. Free excitons.

 3

  05.11    Zahra Bound excitons. Electron-hole liquid and plasma.

 4

  12.11     Ilya Disordered semiconductors. Stimulated emission.

 5

  19.11  Reyhaneh Electroluminescence. Low-dimensional structures I: quantum wells.

 6

  04.12     Niels Low-dimensional structures II: quantum wires, dots.

Electron-hole plasma and lasing in low dimensional structures.

 7

  10.12 Wondwosen Silicon nanophotonics and photonic structures. Single-dot spectroscopy. 8   17.12      Jan

Ilja Sytjugov redigerade 22 oktober 2012

                                                        Topic # Date Speaker Basic terms.

Equipment and techniques for time-integrated luminescence measurements.

 1

  22.10     Ilya Time-resolved luminescence: equipment and kinetic description of processes. Phonons.

 2

  29.10

  9.30

  Mahtab Radiative and non-radiative recombination. Free excitons.

 3

  05.11    Zahra Bound excitons. Electron-hole liquid and plasma.

 4

  12.11     IlyaYashar Disordered semiconductors. Stimulated emission.

 5

  19.11  Reyhaneh    Ilya Electroluminescence. Low-dimensional structures I: quantum wells.

 6

  04.12     Niels Low-dimensional structures II: quantum wires, dots.

Electron-hole plasma and lasing in low dimensional structures.

 7

  10.12 Wondwosen Silicon nanophotonics and photonic structures. Single-dot spectroscopy. 8   17.12      Jan

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 19 oktober 2015

Kan därmed läsas av alla och ändras av administratörer.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 28 september 2017

Kan därmed läsas av alla inloggade användare och ändras av administratörer.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 19 oktober 2017

Kan därmed läsas av alla och ändras av administratörer.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 8 november 2017

Kan därmed läsas av alla inloggade användare och ändras av administratörer.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 21 augusti 2023

Kan därmed läsas av alla och ändras av administratörer.
 
under Allmänt

Administratör Ilja Sytjugov skapade sidan 2 oktober 2012

Ilja Sytjugov redigerade 3 oktober 2012


* Introduction and Chapter 2 "Experimental techniques of luminescence spectroscopy"
* Chapter 3 "Kinetic description of luminescence processes"
* Chapter 4 "Phonons and their participation in optical phenomena"
* Chapter 5 "Channels of radiative recombination in semiconductors"
* Chapter 7 "Luminescence of excitons"
* Figures (from chapter 1 to chapter 9)
* Figures (from chapter 10 to appendices)

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 19 oktober 2015

Kan därmed läsas av alla och ändras av administratörer.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 28 september 2017

Kan därmed läsas av alla inloggade användare och ändras av administratörer.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 19 oktober 2017

Kan därmed läsas av alla och ändras av administratörer.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 8 november 2017

Kan därmed läsas av alla inloggade användare och ändras av administratörer.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 21 augusti 2023

Kan därmed läsas av alla och ändras av administratörer.
 
September 2012
under Allmänt

Ilja Sytjugov skapade sidan 20 september 2012

Ilja Sytjugov redigerade 21 september 2012

Code: IM3005¶

Credits: 6,0

School: ICT

Department: Materials Physics

Course objectives:

After finishing the course students will be able to:

- Operate in semiconductor photophysics terms

- Distinguish between processes in nanostructured and bulk materials

- Implement these concepts in the description of practical devices

- Select most adequate luminescence technique for characterization of a particular system

- Examine optical properties of various systems using luminescence method

Main Content

- Excitons and Phonons in Luminescence

- Radiative and Non-Radiative Recombination

- Stimulated Emission

- Low-Dimensional Semiconductors

- Experimental Techniques of Luminescence Spectroscopy

Course Literature

- Ivan Pelant and Jan Valenta “Luminescence Spectroscopy of Semiconductors”, Oxford University Press, 2012, ISBN 978-0-19-958833-6

Examination

The course is seminar-oriented, where students take turns in presenting book chapters to the audience. Presentations are followed by discussion where participants need to be prepared with relevant questions at hand. The quality of presentations and activity at seminars will be evaluated and comprise half of the total score. A problem-solving homework is the other half of the examination. To achieve passing mark a 60% threshold in total scoring should be attained.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 28 september 2017

Kan därmed läsas av alla inloggade användare och ändras av administratörer.

Administratör Ilja Sytjugov ändrade rättigheterna 19 oktober 2017

Kan därmed läsas av alla och ändras av administratörer.
 
Feedback Nyheter